Бухарский инженерно-технологический институт
старший преподаватель
УДК 538.1;548
Введение. Уникальной особенностью процесса технического намагничивания допированного галлием кристалла гематита (α – Fe2O3:Ga), является возникновение в некотором интервале внешнего магнитного поля H длиннопериодической пространственной модуляции параметра магнитного порядка этого легкоплоскостного слабого ферромагнетика [1,2].
Актуальность. Выполненные в [1,2] исследования показали, что модулированная магнитная структура (ММС) α – Fe2O3:Ga появляется при температуре Т > 260 К, при этом ее период и направление в плоскости легкого намагничивания (в плоскости (111)) кристалла могут управляться с помощью незначительного по величине поля Н, что представляет интерес с точки зрения практического применения обнаруженного эффекта в функциональных элементах оптоэлектроники и СВЧ – техники, в которых гематит используется в качестве активной среды.
Поскольку магнитооптическая анизотропия антиферромагнетиков существенно зависит от ориентации вектора lотносительно кристаллографических осей (см., например, [3]), в настоящей работе с целью экспериментального определения структуры неоднородного магнитного состояния α – Fe2O3:Ga исследовалось магнитное линейное двулучепреломление (МЛД) в этом кристалле. Согласно [4,5], при распространении света вдоль оптической оси – оси С3(в направлении нормали к плоскости (111)) величина МЛД в гематите в точке на плоскости (111) с координатами (х,у) может быть представлена в виде
Φ = φ (x,y) sin 2[θ – β(x,y); (1)
φ(x,y) = φo(a2 + b2)1/2; φo = 2π(n|| – n`_|_` )d/l;
a= d-1 'int_0^dcos2b(x,y,z)dz' ; b= d-1 'int_0^dsin2b(x,y,z)dz' ;
где у и х – соответственно пространственные координаты вдоль оси С2 и вдоль перпендикулярного этой оси направления, а z – вдоль оси С3; β – угол между направлением проекции вектора l на плоскость (111) и осью С2; q – азимут плоскости поляризации падающего на кристалл света относительно той же оси; n||, n^ – показатели преломления для света с длиной волны l, линейно поляризованного соответственно вдоль и поперек направления плоскостной компоненты вектораl; d – толщина кристалла (параметры а и b учитывают возможную неоднородность угла β вдоль оси С3).
Как видно из (1), при фиксированных х и y зависимость F(q) представляется гармонической функцией, начальная фаза β и амплитуда φ которой характеризуют соответственно направление и модуль антиферромагнитного момента в данной точке плоскости (111). Следовательно, из результатов исследований зависимости МЛД от угла q на основании (1) можно судить о пространственной ориентации локального вектора l в кристалле.
В экспериментах использовался один из образцов монокристалла α – Fe2O3:Ga (содержание Ga ~ 0.5 wt. %), на которых были выполнены исследования ММС в [1,2]: образец представлял собой плоско – параллельную пластинку с поперечными размерами ~ 55 mm2 толщиной ≈ 250 μm, развитые грани которой совпадали с плоскостью (111). Магнитное состояние образца контролировалось магнитооптическим методом, описанным в [1,2]: с помощью поляризационного микроскопа визуально наблюдалась эволюция доменной структуры кристалла, происходящая при изменении величины и направления Н. Наблюдения проводились «на просвет» в окне оптической прозрачности (в области длин волн λ ~ 1 μm) α – Fe2O3:Ga; изображения кристалла получались на экране электронно-оптического преобразователя и фиксировались цифровой фотокамерой, состыкованной с компьютером.
Многочисленными экспериментальными исследованиями установлено, что в магнитном отношении номинально чистый кристалл α – Fe2O3 практически изотропен в легкой плоскости (при комнатной температуре поле внутриплоскостной гексагональной анизотропии НА ~ 0.05 Э [4]). Однако, как видно из рисунка, при изменении направления намагничивания вид получаемых кривых Δn(Н) заметно различается: меняется начальный наклон и магнитный гистерезис, магнитное насыщение достигается при разных значениях Н. Это, очевидно, означает, что допирование гематита ионами Ga приводит к возникновению в легкой плоскости существенной магнитокристаллической анизотропии.
Исследования МЛД были выполнены при комнатной температуре на длине волны λ ≈ 1.15 μm излучения He-Ne лазера в постоянном магнитном поле напряженностью Н ≤ 50 Ое (во всех экспериментах вектор Н лежал в плоскости (111) кристалла) при нормальном падении света на плоскость образца. Величина МЛД определялась при помощи фазового компенсатора (пластинки λ/4) по традиционной методике, использующей модуляцию азимута плоскости поляризации падающего на фотоприемник света [6]. Чувствительность экспериментальной установки по углу F составляла ~ 0,001о, относительная ошибка измерений ~ 5 %.
При исследованиях ориентационной зависимости МЛД лазерное излучение при помощи микроскопа фокусировалось на поверхности образца в пятно диаметром ≈ 15 μm. Учитывая, что пространственный период магнитной неоднородности α – Fe2O3:Ga ~ 100 μm [1, 2, 7], при этих условиях эксперимента можно рассматривать исследуемый участок поверхности кристалла как точечный, полагая в пределах площади светового пятна β(x,y) » const. Держатель образца имел возможность двухкоординатного перемещения в фокальной плоскости микроскопа, что позволяло проводить измерения МЛД в заданной области кристалла.
Выводы. Таким образом, выполненные экспериментальные исследования полевой и ориентационной зависимостей МЛД α – Fe2O3:Ga подтверждают модель ММС этого слабого ферромагнетика, предложенную в [1,2]. Из анализа полученных экспериментальных результатов следует, что процесс технического намагничивания неоднородной магнитной фазы исследованного кристалла осуществляется путем скачкообразного доворота вектора l к оси С2Н.
Комментарии пользователей:
Оставить комментарий